硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

CMP的設備構(gòu)成包括（）。