硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。