問(wèn)答題列舉出你見(jiàn)到的、想到的不同類(lèi)型的集成電路及其主要作用？

您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

A.有機(jī)物顆粒
B.塑料顆粒
C.玻璃顆粒
D.陶瓷顆粒

2.單項(xiàng)選擇題目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

A.注氧隔離法
B.智能剝離法
C.鍵合再減薄技術(shù)
D.以上都是

4.多項(xiàng)選擇題常壓的硅外延方法有（）。

A.四氯化硅氫還原法
B.三氯氫硅氫還原法
C.二氯氫硅烷法
D.硅烷熱分解法

5.單項(xiàng)選擇題如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）

A.化學(xué)物質(zhì)
B.金屬離子
C.融解的氧氣
D.細(xì)菌

6.單項(xiàng)選擇題光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

A.掩膜版
B.對(duì)準(zhǔn)和曝光
C.光刻機(jī)
D.光刻膠

7.多項(xiàng)選擇題摻雜后，退火的目的是（）。

A.實(shí)現(xiàn)電激活
B.修復(fù)損傷
C.提高摻雜均勻性
D.加大損傷

8.多項(xiàng)選擇題光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

A.決定特征尺寸的關(guān)鍵工藝
B.光刻與芯片的價(jià)格和性能密切相關(guān)
C.光刻工藝過(guò)程復(fù)雜
D.復(fù)印圖像和化學(xué)作用相結(jié)合的綜合性技術(shù)

9.多項(xiàng)選擇題金屬化中可選用的金屬材料有（）。

A.銀
B.金
C.鋁
D.銅

10.多項(xiàng)選擇題互連工藝中AL的制備可選用（）。

A.電鍍
B.CVD
C.MBE
D.PVD