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HB
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水平布里奇曼法,又稱橫拉法。采用石英密封系統(tǒng),系統(tǒng)置于雙溫區(qū)爐中,低溫端放As源控制系統(tǒng)中As氣壓,高溫端合成化合物并拉...
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只能剝離技術(shù)是一種注入氫離子然后進(jìn)行剝離的技術(shù),即在鍵合的一片晶片上注入氫離子,然后和另一硅片在一定溫度下鍵合,鍵合熱處...
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SIMOX
答案:
通過(guò)氧離子注入到硅片,與硅發(fā)生反應(yīng)形成二氧化硅沉淀物,再經(jīng)高溫退火過(guò)程形成SiO
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層,同時(shí)消除注入缺陷。
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