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SIMOX
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通過(guò)氧離子注入到硅片,與硅發(fā)生反應(yīng)形成二氧化硅沉淀物,再經(jīng)高溫退火過(guò)程形成SiO
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層,同時(shí)消除注入缺陷。
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SOI技術(shù)
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稱絕緣層上硅,把器件做在絕緣襯底生長(zhǎng)的硅單晶層上。
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SOS技術(shù)
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