單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中在燒結(jié)普通磚制樣時(shí)，兩磚樣中間抹以厚度不超過（）的用強(qiáng)度等級(jí)32.5的普通硅酸鹽水泥調(diào)制成稠度適宜的水泥凈漿粘結(jié)，上下兩面用厚度不超過（）的同種水泥漿抹平。
A、3mm.5mm
B、3mm.3mm
C、5mm.5mm
D、5mm.3mm
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1.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中在燒結(jié)普通磚制樣時(shí)，應(yīng)將切斷的磚樣放入室內(nèi)的凈水中浸（）后，以斷口（）方向疊加制備。
A、10min～20min相反
B、10min～20min相同
C、10min相反
D、20min相同
2.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中在燒結(jié)普通磚制樣時(shí)，應(yīng)將磚樣切斷或鋸成兩個(gè)半截磚，每個(gè)半截磚長(zhǎng)不得小于（），如果不足，應(yīng)另取備用磚補(bǔ)足。
A、100mm
B、90mm
C、110mm
D、120mm
3.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)的材料試驗(yàn)機(jī)示值相對(duì)誤差不大于（）。
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
4.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)的材料試驗(yàn)機(jī)預(yù)期最大破壞荷載應(yīng)在量程的（）之間。
A、10%～80%
B、20%～80%
C、10%～90%
D、20%～90%
5.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強(qiáng)度精確至（），抗壓強(qiáng)度精確至（）。
A、0.1MPa，0.01MPa
B、0.01MPa，0.1MPa
C、0.01MPa，0.01MPa
D、0.1MPa，0.1MPa
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
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那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題