單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗壓強度試驗的材料試驗機預(yù)期最大破壞荷載應(yīng)在量程的（）之間。
A、10%～80%
B、20%～80%
C、10%～90%
D、20%～90%
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強度精確至（），抗壓強度精確至（）。
A、0.1MPa，0.01MPa
B、0.01MPa，0.1MPa
C、0.01MPa，0.01MPa
D、0.1MPa，0.1MPa
2.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中做抗折強度試驗時，應(yīng)以（）N/s的速度均勻加荷直至試件斷裂。
A、50
B、150
C、50或150
D、50～150
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強度試驗的抗折夾具下支輥的跨距為磚規(guī)格長度減去（），但規(guī)格長度為190mm的磚，其跨距為（）。
A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
4.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強度試驗的磚樣應(yīng)進行處理，處理方式為將非燒結(jié)磚放入（）的水中浸泡（）后取出，用濕布拭去其表面水分，再進行抗折試驗。
A、（20±5）℃48h
B、（20±5）℃24h
C、（20±10）℃48h
D、（20±10）℃24h
5.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強度試驗的抗折夾具的上壓輥和下支輥的曲率半徑為（），下支輥應(yīng)有一個為鉸接固定。
A、10mm
B、15mm
C、20mm
D、25mm
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題