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填空題
用半導體的微細加工技術(shù),在非晶基片上通過使用微細的表面結(jié)構(gòu),考察了單晶成長方法,并命名為()
答案:
光刻外延法
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填空題
MBGE法成為多晶的理由是,有()得到的金字塔形的山和谷的距離只有約1µm左右,因此可以認為在結(jié)晶核和生長層之間不形成溫度差。
答案:
刻蝕
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填空題
在太陽能電池制造技術(shù)的開發(fā)中,主要是以將()與屋頂材料、壁材料等一體化、低成本化為目的,主要集中在創(chuàng)意性優(yōu)秀的建材一體化模板的開發(fā)方面。
答案:
太陽能電池板
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