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填空題
a-Si:H作為四面體結(jié)合的非晶體,是由()束縛結(jié)構(gòu)構(gòu)成的,為了緩和堅固的電路內(nèi)部應(yīng)力,易引發(fā)不可見光能帶等的結(jié)構(gòu)缺陷。
答案:
過剩
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填空題
非晶半導(dǎo)體材料,是失去了像結(jié)晶型那長距離晶格結(jié)構(gòu)后的材料,其原子周圍的化學(xué)鍵狀態(tài)與結(jié)晶時保持()的狀態(tài)。
答案:
相同
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填空題
為了保持優(yōu)良的結(jié)晶性能,提高制膜速度,除了要采用();()投入外,多數(shù)也采用導(dǎo)入電源頻率為60MHz---100MHz的VHF帶等離子體的CVD法。
答案:
高電壓、高電力
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