兩級(jí)阻容耦合放大電路如圖所示，已知T₁管為N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，g_m＝2mS，T₂管為雙極型晶體管，β＝50，r_be＝1kΩ，r_ce可忽略。
（1）求第二級(jí)電路的靜態(tài)工作點(diǎn)I_CQ2和V_CEQ2；
（2）若電路中所有電容的容抗在中頻區(qū)域內(nèi)可忽略，試求該電路的中頻電壓放大倍數(shù)A_V、輸入電阻R_i和輸出電阻R_o；
（3）當(dāng)加大輸入信號(hào)時(shí)，該放大電路是先出現(xiàn)飽和失真還是先出現(xiàn)截止失真？其最大不失真輸出電壓V_omax為多少？

如圖所示N溝道JFET構(gòu)成的放大電路，JFET的V_GSoff＝－2V，I_DSS＝5mA，S₁處于開(kāi)路狀態(tài)。
（1）說(shuō)明C₁、C₂、C₃和C₄的作用；
（2）說(shuō)明R₃和R₅的作用；
（3）計(jì)算電路的輸入阻抗R_i、輸出阻抗R_o和電壓放大倍數(shù)A_V；
（4）現(xiàn)將N溝道JFET換成H_FE＝100的BJT，且S₁閉合，分析輸入阻抗、輸出阻抗和增益的變化；
（5）比較共源JFET放大器和共射BJT放大器的優(yōu)缺點(diǎn)。

電路如圖所示，其中三極管β＝100，r_bb′300，V_BEQ＝0.7V。
（1）求靜態(tài)工作點(diǎn)I_CQ1、V_CEQ1、I_CQ2和V_CEQ2的值；
（2）求中頻段電壓放大倍數(shù)A_V＝V_o／V_i；
（3）求電路下限截止頻率f_L；
（4）如果試圖提高電路的下限截止頻率，而手頭沒(méi)有多余的元器件，對(duì)電路中的元器件做怎樣調(diào)整，可以實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的。

射極輸出器如圖所示，已知V_BE＝0.7V，β＝50。
（1）求靜態(tài)值I_B、I_C和V_CE；
（2）求中頻參數(shù)A_V，R_i和R_o；
（3）求該電路的最大輸出電壓幅值V_om；
（4）當(dāng)C₂＝1μF時(shí)，求其引起的下限頻率f_L；
（5）若要使V_omax為最大（忽略飽和壓降），R_b應(yīng)調(diào)為多大？這時(shí)輸出幅值V_omax為多少？

共集電極放大電路如圖所示。已知：V_CC＝12V，β＝100，U_BE＝0.6V，R_S＝600Ω，R_B1＝5.1kΩ，R_B2＝10kΩ，R_E＝470Ω，R_L＝1kΩ，試用小信號(hào)模型分析法計(jì)算電路的輸入電阻R_i、輸出電阻R_O及電壓增益A_us。