兩級(jí)阻容耦合放大電路如圖所示,已知T1管為N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管,gm=2mS,T2管為雙極型晶體管,β=50,rbe=1kΩ,rce可忽略。
(1)求第二級(jí)電路的靜態(tài)工作點(diǎn)ICQ2和VCEQ2;
(2)若電路中所有電容的容抗在中頻區(qū)域內(nèi)可忽略,試求該電路的中頻電壓放大倍數(shù)AV、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro;
(3)當(dāng)加大輸入信號(hào)時(shí),該放大電路是先出現(xiàn)飽和失真還是先出現(xiàn)截止失真?其最大不失真輸出電壓Vomax為多少?
如圖所示N溝道JFET構(gòu)成的放大電路,JFET的VGSoff=-2V,IDSS=5mA,S1處于開(kāi)路狀態(tài)。
(1)說(shuō)明C1、C2、C3和C4的作用;
(2)說(shuō)明R3和R5的作用;
(3)計(jì)算電路的輸入阻抗Ri、輸出阻抗Ro和電壓放大倍數(shù)AV;
(4)現(xiàn)將N溝道JFET換成HFE=100的BJT,且S1閉合,分析輸入阻抗、輸出阻抗和增益的變化;
(5)比較共源JFET放大器和共射BJT放大器的優(yōu)缺點(diǎn)。