在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。