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為了保證新器件與現(xiàn)有器件兼容,電壓不能隨意地縮放,所以恒定電場縮小模式不是一種現(xiàn)實可行的選擇。熱載流子效應(yīng)和柵氧擊穿這樣一些物理效應(yīng),使恒定()縮小模式不再被使用。
答案:
電壓
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填空題
當(dāng)晶體管的W值較小時,受窄溝道效應(yīng)的影響,晶體管的閾值電壓()(填“升高”或“降低”)。
答案:
升高
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填空題
隨著MOS器件尺寸的縮小,源端和反向偏置的漏端結(jié)的耗盡區(qū)對器件的影響變得重要。由于在柵下的一部分區(qū)域已被耗盡,導(dǎo)致器件的閾值電壓()。(填“升高”或“降低”)
答案:
降低
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