填空題

當(dāng)晶體管的W值較小時(shí)，受窄溝道效應(yīng)的影響，晶體管的閾值電壓（）（填“升高”或“降低”）。

答案：升高

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隨著MOS器件尺寸的縮小，源端和反向偏置的漏端結(jié)的耗盡區(qū)對(duì)器件的影響變得重要。由于在柵下的一部分區(qū)域已被耗盡，導(dǎo)致器件的閾值電壓（）。（填“升高”或“降低”）

答案：降低

假設(shè)在PN結(jié)上加上一個(gè)電壓，使p區(qū)的電勢(shì)相對(duì)于n區(qū)升高，其表現(xiàn)出來(lái)的結(jié)果是電流從p區(qū)向n區(qū)流過(guò)二極管，此時(shí)二極管處于（）（填“正”或“反”）偏置狀態(tài)。

答案：正

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