單項選擇題DRAM的刷新時以()為單位的。
A.行
B.列
C.存儲單元
D.存儲字
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1.單項選擇題DRAM 的存儲原理是()。
A.依靠定時刷新
B.依靠雙穩(wěn)態(tài)電路
C.依靠讀后再生
D.信息不再變化
2.單項選擇題半導(dǎo)體靜態(tài)存儲器 SRAM 的存儲原理是()。
A.依靠定時刷新
B.依靠雙穩(wěn)態(tài)電路
C.依靠讀后再生
D.信息不再變化
3.單項選擇題存儲器是計算機系統(tǒng)的記憶設(shè)備,主要用于()。
A.存放程序
B.存放軟件
C.存放微程序
D.存放程序和數(shù)據(jù)
4.單項選擇題存儲周期是指()。
A.存儲器的讀出時間
B.存儲器進行連續(xù)讀和寫操作所允許的最短時間間隔
C.存儲器的寫入時間
D.存儲器進行連續(xù)寫操作所允許的最短時間間隔
5.單項選擇題CPU不能直接訪問的是()。
A.Cache
B.ROM
C.內(nèi)存
D.外存
最新試題
RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。
題型:單項選擇題
計算機的I/O接口是()之間的交接界面。
題型:單項選擇題
計算機系統(tǒng)是可以分層的,在某級觀察者角度看到的機器被稱為(),只需要通過該級語言來了解和使用。
題型:單項選擇題
動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲信息的。
題型:單項選擇題
寫出X=10111101的補碼表示,正確結(jié)果為()。
題型:單項選擇題
柵極電平只能維持一段時間,若要維持所保存的信息,需要對C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
題型:單項選擇題
計算機中機器訪問的最小單位被稱為()。
題型:單項選擇題
()又稱字選法,所對應(yīng)的存儲器是字結(jié)構(gòu)的。
題型:單項選擇題
在計算機存儲層次結(jié)構(gòu)中,以下哪種存儲器技術(shù)能同時具備高速訪問、低功耗和大容量?()
題型:單項選擇題
主存儲器通常由以下哪些部分組成?()
題型:多項選擇題