單項選擇題由于水中陰陽離子都有導電能力，所以水的（）越高，水中離子數(shù)就越少。
A.電阻率
B.電導率
C.電阻
D.電導
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1.單項選擇題在半導體器件制造中，對清洗用水的純度有比較高的要求，要用經(jīng)過純化的（）作為清潔用水。
A.蒸餾水
B.自來水
C.去離子水
D.礦泉水
2.單項選擇題銅互連金屬多層布線中，磨料的粒徑一般為（）。
A.5~10nm
B.20~30nm
C.50~80nm
D.100~200nm
3.單項選擇題在酸性漿料中，最常使用的氧化劑為（）。
A.硝酸
B.硝酸銅
C.硫酸
D.磺酸
4.單項選擇題在新一代的CMP中，有使用（）磨料在金屬表面上形成軟質(zhì)皮膜并加以去除的趨勢。
A.二氧化錳
B.鋁
C.氧化鉻
D.金剛石
5.單項選擇題金相學的研磨之所以會在研磨面上造成如刮傷般的痕跡是由于在制程中（）。
A.氧化鉻磨料溶水制成的研磨液
B.使用羊毛研磨墊
C.采用旋轉(zhuǎn)研磨墊加壓的方法
D.無法必免的機械損耗
最新試題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：單項選擇題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項選擇題
利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進半導體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：單項選擇題
以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）
題型：多項選擇題
刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
題型：多項選擇題
在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴重的情況，該情況引起的主要問題有（）
題型：多項選擇題
電子束蒸發(fā)中有一個特殊的部件是（）
題型：單項選擇題
根據(jù)曝光模式，光制機的種類分為（）。
題型：多項選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）
題型：多項選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）
題型：單項選擇題