多項(xiàng)選擇題為了滿足半導(dǎo)體器件對(duì)金屬材料的低電阻連接以及可靠的要求，金屬材料應(yīng)該滿足（）。
A.低電阻率
B.易與p或n型硅形成歐姆接觸
C.可與硅或二氧化硅反應(yīng)
D.易于光刻
E.便于進(jìn)行鍵合
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1.單項(xiàng)選擇題（）是通過把被蒸物體加熱，利用被蒸物在高溫時(shí)的飽和蒸汽壓來(lái)進(jìn)行薄膜沉積的。
A.蒸鍍
B.濺射
C.離子注入
D.CVD
2.單項(xiàng)選擇題（）是以物理的方法來(lái)進(jìn)行薄膜沉積的一種技術(shù)。
A.LPCVD
B.PECVD
C.CVD
D.PVD
3.單項(xiàng)選擇題物理氣相沉積簡(jiǎn)稱（）。
A.LVD
B.PED
C.CVD
D.PVD
4.多項(xiàng)選擇題薄膜沉積的機(jī)構(gòu)包括那些步驟（）。
A.形成晶核
B.晶粒成長(zhǎng)
C.晶粒凝結(jié)
D.縫道填補(bǔ)
E.沉積膜成長(zhǎng)
5.多項(xiàng)選擇題晶片表面上的粒子是通過（）到達(dá)晶片的表面。
A.粒子擴(kuò)散
B.從氣體源通過強(qiáng)迫性的對(duì)流傳送
C.化學(xué)反應(yīng)
D.被表面吸附
E.靜電吸引
最新試題
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻膠對(duì)人部分可見光敏感，但對(duì)（）光不敏感。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕的過程中，對(duì)刻蝕的要求是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
（）可以通過帶電粒子在盛場(chǎng)作用下做運(yùn)動(dòng)把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題