單項(xiàng)選擇題目前，最廣泛使用的退火方式是（）。
A.熱退火
B.激光退火
C.電子束退火
D.離子束退火
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1.單項(xiàng)選擇題損傷的分布與注入離子在在靶內(nèi)的（）的分布密切相關(guān)。
A.能量淀積
B.動(dòng)量淀積
C.能量振蕩
D.動(dòng)量振蕩
2.多項(xiàng)選擇題哪種方法可以增加缺陷的積累率而降低臨界注入量：（）。
A.低溫注入
B.常溫注入
C.高溫注入
D.分子注入
E.雙注入
3.多項(xiàng)選擇題下列哪些因素會(huì)影響臨界注入量的大?。海ǎ?。
A.注入離子的質(zhì)量
B.靶的種類
C.注入溫度
D.注入速度
E.注入劑量
4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)注入劑量增加到某個(gè)值時(shí)，損傷量不再增加，趨于飽和。飽和正是對(duì)應(yīng)連續(xù)（）的形成。
A.非晶層
B.單晶層
C.多晶層
D.超晶層
5.單項(xiàng)選擇題當(dāng)注入劑量增加到某個(gè)值時(shí)，損傷量不再增加，趨于飽和。開(kāi)始飽和的注入劑量稱為（）。
A.臨界劑量
B.飽和劑量
C.無(wú)損傷劑量
D.零點(diǎn)劑量
最新試題
根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
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利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
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題型：多項(xiàng)選擇題
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題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
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題型：?jiǎn)柎痤}
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題型：多項(xiàng)選擇題
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題型：多項(xiàng)選擇題