單項選擇題損傷的分布與注入離子在在靶內(nèi)的（）的分布密切相關(guān)。
A.能量淀積
B.動量淀積
C.能量振蕩
D.動量振蕩
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1.多項選擇題哪種方法可以增加缺陷的積累率而降低臨界注入量：（）。
A.低溫注入
B.常溫注入
C.高溫注入
D.分子注入
E.雙注入
2.多項選擇題下列哪些因素會影響臨界注入量的大?。海ǎ?/a>
A.注入離子的質(zhì)量
B.靶的種類
C.注入溫度
D.注入速度
E.注入劑量
3.單項選擇題當(dāng)注入劑量增加到某個值時，損傷量不再增加，趨于飽和。飽和正是對應(yīng)連續(xù)（）的形成。
A.非晶層
B.單晶層
C.多晶層
D.超晶層
4.單項選擇題當(dāng)注入劑量增加到某個值時，損傷量不再增加，趨于飽和。開始飽和的注入劑量稱為（）。
A.臨界劑量
B.飽和劑量
C.無損傷劑量
D.零點劑量
5.多項選擇題對于非晶靶，離子注入的射程分布取決于（）。
A.入射離子的能量
B.入射離子的質(zhì)量
C.入射離子的原子序數(shù)
D.靶原子的質(zhì)量、原子序數(shù)、原子密度
E.注入離子的總劑量
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