單項選擇題在實際工作中，常常需要知道離子注入層內損傷量按（）的分布情況。
A.長度
B.深度
C.寬度
D.表面平整度
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1.單項選擇題降低靶的溫度，有利于非晶層的形成，所以臨界注入量隨之（）。
A.增大
B.減小
C.不變
D.變?yōu)?
2.單項選擇題晶體中，每個原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置時其勢能為（）。
A.極大值
B.極小值
C.既不極大也不極小
D.小于動能
3.單項選擇題離子源腔體中的氣體放電形成（）而引出正離子的。
A.等離子體
B.不等離子體
C.正離子體
D.液電流
4.多項選擇題離子注入的主要氣體源中，易燃、易爆的有（）。
A.砷化氫
B.二硼化氫
C.三氟化硼
D.硅烷
E.氧氣
5.多項選擇題半導體芯片生產中，離子注入主要是用來（）。
A.氧化
B.改變導電類型
C.涂層
D.改變材料性質
E.鍍膜
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題型：多項選擇題
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當需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。
題型：單項選擇題