單項(xiàng)選擇題降低靶的溫度，有利于非晶層的形成，所以臨界注入量隨之（）。

A.增大
B.減小
C.不變
D.變?yōu)?


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1.單項(xiàng)選擇題晶體中，每個(gè)原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置時(shí)其勢(shì)能為（）。

A.極大值
B.極小值
C.既不極大也不極小
D.小于動(dòng)能

2.單項(xiàng)選擇題離子源腔體中的氣體放電形成（）而引出正離子的。

A.等離子體
B.不等離子體
C.正離子體
D.液電流

3.多項(xiàng)選擇題離子注入的主要?dú)怏w源中，易燃、易爆的有（）。

A.砷化氫
B.二硼化氫
C.三氟化硼
D.硅烷
E.氧氣

4.多項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中，離子注入主要是用來(lái)（）。

A.氧化
B.改變導(dǎo)電類(lèi)型
C.涂層
D.改變材料性質(zhì)
E.鍍膜

5.單項(xiàng)選擇題硅烷的分子式是（）。

A.SiF4
B.SiH4
C.CH4
D.SiC