多項(xiàng)選擇題超大規(guī)模集成電路需要光刻工藝具備的要求有（）。
A.高分辨率
B.高靈敏度
C.精密的套刻對準(zhǔn)
D.大尺寸
E.低缺陷
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1.單項(xiàng)選擇題在集成電路工藝中，光復(fù)制圖形和材料刻蝕相結(jié)合的工藝技術(shù)是（）。
A.刻蝕
B.氧化
C.淀積
D.光刻
2.單項(xiàng)選擇題在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在950～1100℃的條件下，擴(kuò)散時(shí)間大約（）為宜。
A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min
3.單項(xiàng)選擇題在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在900～1050℃的條件下，擴(kuò)散時(shí)間大約（）為宜。
A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min
4.單項(xiàng)選擇題在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，磷的擴(kuò)散溫度為（）。
A.600～750℃
B.900～1050℃
C.1100～1250℃
D.950～1100℃
5.單項(xiàng)選擇題在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，砷和銻的擴(kuò)散溫度為（）。
A.1050～1200℃
B.900～1050℃
C.1100～1250℃
D.1200～1350℃
最新試題
調(diào)試和維修電路時(shí)排除故障的一般程序和方法是怎樣的？
題型：問答題
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：單項(xiàng)選擇題
敘述測試晶體管的方法？
題型：問答題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測方法是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運(yùn)動(dòng)把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
題型：單項(xiàng)選擇題