多項(xiàng)選擇題

超大規(guī)模集成電路需要光刻工藝具備的要求有（）。

A.高分辨率
B.高靈敏度
C.精密的套刻對(duì)準(zhǔn)
D.大尺寸
E.低缺陷

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單項(xiàng)選擇題

在集成電路工藝中，光復(fù)制圖形和材料刻蝕相結(jié)合的工藝技術(shù)是（）。

A.刻蝕
B.氧化
C.淀積
D.光刻

單項(xiàng)選擇題

在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在950～1100℃的條件下，擴(kuò)散時(shí)間大約（）為宜。

A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min

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