單項(xiàng)選擇題在集成電路工藝中，光復(fù)制圖形和材料刻蝕相結(jié)合的工藝技術(shù)是（）。
A.刻蝕
B.氧化
C.淀積
D.光刻
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1.單項(xiàng)選擇題在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在950～1100℃的條件下，擴(kuò)散時(shí)間大約（）為宜。
A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min
2.單項(xiàng)選擇題在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在900～1050℃的條件下，擴(kuò)散時(shí)間大約（）為宜。
A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min
3.單項(xiàng)選擇題在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，磷的擴(kuò)散溫度為（）。
A.600～750℃
B.900～1050℃
C.1100～1250℃
D.950～1100℃
4.單項(xiàng)選擇題在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，砷和銻的擴(kuò)散溫度為（）。
A.1050～1200℃
B.900～1050℃
C.1100～1250℃
D.1200～1350℃
5.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散爐中的管道一般都是用（）制作。
A.陶瓷
B.玻璃
C.石英
D.金屬
最新試題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
（）可以通過(guò)帶電粒子在盛場(chǎng)作用下做運(yùn)動(dòng)把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí)，判斷其造成原因有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行，溫度控制在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過(guò)30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過(guò)程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題