單項(xiàng)選擇題化合物半導(dǎo)體砷化鎵常用的施主雜質(zhì)是（）。
A.錫
B.硼
C.磷
D.錳
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體硅常用的施主雜質(zhì)是（）。
A.錫
B.硫
C.硼
D.磷
2.單項(xiàng)選擇題在將清洗完的硅片放進(jìn)擴(kuò)散爐擴(kuò)散時(shí)，需要將硅片先裝入（），然后再裝入擴(kuò)散爐。
A.耐熱陶瓷器皿
B.金屬器皿
C.石英舟
D.玻璃器皿
3.單項(xiàng)選擇題通常熱擴(kuò)散分為兩個(gè)大步驟，其中第一個(gè)步驟是（）。
A.再分布
B.等表面濃度擴(kuò)散
C.預(yù)淀積
D.等總摻雜劑量擴(kuò)散
4.單項(xiàng)選擇題下列哪些元素在硅中是快擴(kuò)散元素：（）。
A.Na
B.B
C.P
D.As
5.單項(xiàng)選擇題He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的擴(kuò)散率大于10－13cm2/s，這些元素稱為（）。
A.活躍雜質(zhì)
B.快速擴(kuò)散雜質(zhì)
C.有害雜質(zhì)
D.擴(kuò)散雜質(zhì)
最新試題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
敘述測(cè)試晶體管的方法？
題型：?jiǎn)柎痤}
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
試說明ICT測(cè)試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點(diǎn)？
題型：?jiǎn)柎痤}
刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長(zhǎng)為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題