A.溫度 B.硅-二氧化硅界面處的化學(xué)反應(yīng) C.氧的擴(kuò)散速率 D.壓力
A.t2成正比 B.t2成反比 C.t成正比 D.t成反比
A.生長(zhǎng)的二氧化硅薄膜均勻性好 B.生長(zhǎng)的二氧化硅干燥 C.生長(zhǎng)的二氧化硅結(jié)構(gòu)致密 D.生長(zhǎng)的二氧化硅是很理想的鈍化膜 E.生長(zhǎng)的二氧化硅掩蔽能力強(qiáng)