單項選擇題當(dāng)熱氧化的最初階段，（）為限制反應(yīng)速率的主要原因。

A.溫度
B.硅-二氧化硅界面處的化學(xué)反應(yīng)
C.氧的擴散速率
D.壓力


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1.單項選擇題當(dāng)二氧化硅膜很薄時，膜厚與時間（）。

A.t2成正比
B.t2成反比
C.t成正比
D.t成反比

2.多項選擇題干氧氧化法具備以下一系列的優(yōu)點（）。

A.生長的二氧化硅薄膜均勻性好
B.生長的二氧化硅干燥
C.生長的二氧化硅結(jié)構(gòu)致密
D.生長的二氧化硅是很理想的鈍化膜
E.生長的二氧化硅掩蔽能力強

3.單項選擇題干氧氧化法有一些優(yōu)點，但同時它的缺點有（）。

A.生長出的二氧化硅中引入很多可動離子
B.氧化的速度慢
C.生長的二氧化硅缺陷多
D.生長的二氧化硅薄膜鈍化效果差

4.單項選擇題干氧氧化中，氧化爐內(nèi)的氣體壓力應(yīng)（）一個大氣壓。

A.稍高于
B.大大于
C.等于
D.沒有要求

5.單項選擇題下列幾種氧化方法相比，哪種方法制得的二氧化硅薄膜的電阻率會高些（）。

A.干氧氧化
B.濕氧氧化
C.水汽氧化
D.與氧化方法無關(guān)