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問答題
【論述題】
采用CF4作為氣體源對SiO2進(jìn)行刻蝕，在進(jìn)氣中分別加入O2或H2對刻蝕速率有什么影響？隨著O2或H2進(jìn)氣量的增加，對Si和SiO2刻蝕選擇性怎樣變化？為什么？
答案：
加入少量的氧氣能夠提高Si和SiO2的刻蝕速率。加入少量的氫氣可以導(dǎo)致Si和SiO2
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問答題
【論述題】根據(jù)原理分類，干法刻蝕分成幾種？各有什么特點？
答案：
干法刻蝕是采用等離子體進(jìn)行刻蝕的技術(shù)，根據(jù)原理分為濺射與離子銑（物理）、等離子刻蝕（化學(xué)）、反應(yīng)離子刻蝕（物理+化學(xué)）。...
