硅MOSFET和硅JFET結(jié)構(gòu)相同。（）

干法腐蝕清潔、干凈、無脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）

點缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復合體。（）

遷移率是反映半導體中載流子導電能力的重要參數(shù)。摻雜半導體的電導率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導率就越高。（）

門陣列的基本結(jié)構(gòu)形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門陣列（）

晶體的特點是在各不同晶向上的物理性能、機械性能、化學性能都相同。（）

厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復原狀。（）

離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）

光致抗蝕劑在曝光前對某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負性膠。（）

場效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）