離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）

單晶是原子或離子沿著三個(gè)不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來的遠(yuǎn)程有序的晶體。（）

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）

表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護(hù)膜，使器件的表面與周圍氣氛隔離。（）

干法腐蝕清潔、干凈、無(wú)脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）

絲網(wǎng)印刷膜的厚度不隨著刮板移動(dòng)速度的增加而減小。（）

遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。（）

厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。（）

點(diǎn)缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（）

門陣列的基本結(jié)構(gòu)形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門陣列（）