單項選擇題單相3線插座接線有嚴格規(guī)定()
A.“左零”“右火”
B.“左火”“右零”
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項選擇題按蒸發(fā)源加熱方法的不同,真空蒸發(fā)工藝可分為:()蒸發(fā)、()蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。
A.電阻加熱
B.電子束
C.蒸氣原子
2.單項選擇題將預先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片表面接觸,再用紫外光照射來進行曝光的方法,稱為()曝光。
A.接觸
B.接近式
C.投影
3.單項選擇題光刻工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半導體晶片表面的掩膜層上的工藝()
A.刻制圖形
B.繪制圖形
C.制作圖形
4.單項選擇題介質隔離是以絕緣性能良好的電介質作為“隔離墻”來實現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介質是()層。
A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
5.單項選擇題二氧化硅在擴散時能對雜質起掩蔽作用進行()擴散。
A.預
B.再
C.選擇
![](https://static.ppkao.com/ppmg/img/appqrcode.png)
最新試題
絲網印刷膜的厚度不隨著刮板移動速度的增加而減小。()
題型:判斷題
光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。()
題型:判斷題
半導體芯片制造工藝對水質的要求一般.()
題型:判斷題
在半導體集成電路中,各元器件都是制作在同一晶片內。因此要使它們起著預定的作用而不互相影響,就必須使它們在電性能上相互絕緣。()
題型:判斷題
位錯就是由范性形變造成的,它可以使晶體內的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離,位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯位,這樣產生線缺陷稱為位錯。()
題型:判斷題
場效應晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。()
題型:判斷題
厚膜漿料存在觸變性,流體受到外力作用時黏度迅速下降,外力消失后,黏度迅速恢復原狀。()
題型:判斷題
厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復雜,比表面積就越大,則表面自由能也就越高,對燒結越有利。()
題型:判斷題
金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜,帶膠蒸發(fā)或濺射所需的金屬,然后在去除光致抗蝕劑膜的同時,把膠膜上的金屬一起去除干凈。()
題型:判斷題
邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個值。()
題型:判斷題