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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述離子注入工藝在元器件中的應(yīng)用
答案：
（1）阱區(qū)注入。
（2）對(duì)重度阱區(qū)注入，抑制結(jié)擊穿效應(yīng)。
（3）調(diào)整閾值電壓。
（4）多晶...
（2）對(duì)重度阱區(qū)注入，抑制結(jié)擊穿效應(yīng)。
（3）調(diào)整閾值電壓。
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】離子注入后為什么要進(jìn)行熱退火
答案：
離子注入的過(guò)程中，離子與晶格原子碰撞會(huì)使原子從晶格的束縛能中釋放出來(lái)。熱退火可以修復(fù)單晶結(jié)構(gòu)并激活摻雜物。
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述離子注入的通道效應(yīng)和減小通道效應(yīng)的方法
答案：
通道效應(yīng)：如果一個(gè)電子以正確的角度進(jìn)入通道，它只需要很少的能量就可以行進(jìn)很長(zhǎng)的距離。
方法：
（1）...
方法：
（1）...
