A.價電子填補(bǔ)空穴所形成的; B.自由電子填補(bǔ)空穴所形成的; C.自由電子定價運(yùn)動所形成的; D.價電子的定向運(yùn)動所形成的.
A.發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度大于基區(qū)雜質(zhì)濃度; B.發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度小于基區(qū)雜質(zhì)濃度; C.發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度等于基區(qū)雜質(zhì)濃度; D.發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度大于集電區(qū)雜質(zhì)濃度。
如果用N型半導(dǎo)體代替圖A-21中的本征半導(dǎo)體,外電路中的電流將比同樣尺寸的本征半導(dǎo)體的()。
A.加; B.減少; C.相等; D.不變。