A.發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度大于基區(qū)雜質(zhì)濃度; B.發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度小于基區(qū)雜質(zhì)濃度; C.發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度等于基區(qū)雜質(zhì)濃度; D.發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度大于集電區(qū)雜質(zhì)濃度。
如果用N型半導(dǎo)體代替圖A-21中的本征半導(dǎo)體,外電路中的電流將比同樣尺寸的本征半導(dǎo)體的()。
A.加; B.減少; C.相等; D.不變。
A.電子和空穴構(gòu)成; B.正電荷和負(fù)電荷構(gòu)成; C.施主離子; D.施主雜質(zhì)原子和受主雜質(zhì)原子構(gòu)成。