JB/T4730.4-2005標準規(guī)定的水斷試驗，主要是用來檢驗水磁懸液對被檢表面的潤濕性能，只有出現裸露的“水斷”表面，才可以開始磁粉檢測。

JB/T4730.4-2005標準規(guī)定：兩條或兩條以上缺陷磁痕在同一直線上且間距不大于2mm時，按一條磁痕處理，其長度為兩條磁痕之和加間距。

磁場指示器是用于被檢工件表面磁場方向，有效檢測區(qū)及磁化方法是否正確的一種準確的校驗工具。

打亂材料磁疇排布的兩種方法是：加熱到居里點溫度以上熱處理退磁法和反磁場退磁法。

在工件內部的剩磁，周向磁化要比縱向磁化大的多。

JB/T4730.4-2005標準規(guī)定：直流退磁法是將需退磁工件放入直流磁場中，逐漸減小電流至零。

JB/T4730.4-2005標準規(guī)定：剩磁應不大于0.3mT（240A/m）。

熒光磁粉檢測時，磁痕的評定應在暗室或暗處進行，暗室或暗處可見光照度應不小于20Lx。

C型靈敏度試片與A型靈敏度試片使用方法相同，只是C型靈敏度試片能用于狹小部位。

磁粉檢測，所有的磁痕尺寸、數量和產生部位均應記錄并圖示。