集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。