MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。