半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。