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CMOS電路功耗的組成部分主要包括由充放電電容引起的動(dòng)態(tài)功耗、直接通路電流引起的功耗以及靜態(tài)功耗;動(dòng)態(tài)功耗與等效電容、電源電壓以及時(shí)鐘速率有關(guān),若輸入信號(hào)保持不變,則動(dòng)態(tài)功耗為零。
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判斷題
功耗-延時(shí)積(PDP)是能量的衡量,代表的是每次翻轉(zhuǎn)消耗的能量,其與電源電壓的平方正相關(guān)。為了綜合評(píng)價(jià)性能與能量,引入了能量-延時(shí)積(EDP),降低電源電壓會(huì)帶來(lái)PDP的減小然而會(huì)犧牲性能,造成延時(shí)的增加,所以,電路中存在一個(gè)最優(yōu)工作點(diǎn)。
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判斷題
與靜態(tài)電路相比,動(dòng)態(tài)電路的優(yōu)點(diǎn)是所形成的門比較簡(jiǎn)單且比較快,缺點(diǎn)是設(shè)計(jì)和工作比較復(fù)雜,并且對(duì)噪聲的敏感程度高,容易失效。
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