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功耗-延時(shí)積(PDP)是能量的衡量,代表的是每次翻轉(zhuǎn)消耗的能量,其與電源電壓的平方正相關(guān)。為了綜合評(píng)價(jià)性能與能量,引入了能量-延時(shí)積(EDP),降低電源電壓會(huì)帶來PDP的減小然而會(huì)犧牲性能,造成延時(shí)的增加,所以,電路中存在一個(gè)最優(yōu)工作點(diǎn)。
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判斷題
與靜態(tài)電路相比,動(dòng)態(tài)電路的優(yōu)點(diǎn)是所形成的門比較簡(jiǎn)單且比較快,缺點(diǎn)是設(shè)計(jì)和工作比較復(fù)雜,并且對(duì)噪聲的敏感程度高,容易失效。
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判斷題
MOSFET的電容由三部分組成:MOS結(jié)構(gòu)電容、溝道電容,結(jié)電容。除MOS結(jié)構(gòu)電容外,其他兩個(gè)電容都是線性的且隨所加電壓而變化。
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