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問答題
【計(jì)算題】硅P－N結(jié)的N區(qū)施主濃度為1×10
15
cm
-3
，τ
h
=1μs；P區(qū)受主濃度為6×10
17
cm
-3
，τ
e
=5μs；D
h
=1.3×10
-3
m
2
/s，D
e
=3.5×10
-3
m
2
/s，試計(jì)算室溫下空穴電流與電子電流之比j
h
/j
e
，飽和電流密度j
0
以及在正向偏壓0.3V時(shí)，流過P－N結(jié)的電流密度j。
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問答題
【計(jì)算題】已知施主濃度為1×10
18
cm
－3
，受主濃度為5×10
16
cm
－3
，試分別求出鍺、硅材料在室溫下的接觸電勢(shì)差。
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