你可能感興趣的試題

單項選擇題
驅(qū)動電路是電力電子器件主電路與（）電路之間的接口。
A.緩沖電路
B.保護電路
C.控制電路
D.濾波電路
單項選擇題
對于功率晶體管的基極驅(qū)動電路，驅(qū)動電流的后沿應(yīng)是一個較大的負電流，以利于功率晶體管的（）。
A.導(dǎo)通
B.壽命
C.關(guān)斷
D.飽和
填空題
磁隔離的器件通常是（），當(dāng)脈沖較寬時，為避免鐵心飽和，常采用（）和（）的方法。
答案：脈沖變壓器；高頻調(diào)制；解調(diào)
填空題
在驅(qū)動電路中采用的隔離環(huán)節(jié)一般是（）和（）。
答案：光隔離；磁隔離
填空題
電力電子器件的驅(qū)動電路分為（）和（）。
答案：電流驅(qū)動型；電壓驅(qū)動型
填空題
驅(qū)動電路的基本任務(wù)是（）。
答案：就是將信息按照其控制目標(biāo)的要求，轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間，并使其導(dǎo)通或關(guān)斷的
單項選擇題
IGBT的3個引出電極分別是（）
A.陽極、陰極、門極
B.陽極、陰極柵極
C.柵極、源極漏極
D.發(fā)射極、柵極、集電極
單項選擇題
用萬用表Rx1kΩ測量GTO陽極與陰極間電阻時，若其正、反向電阻都很小，說明兩極之間（）。
A.開路
B.短路
C.接線錯誤
D.測量方法錯誤
單項選擇題
電力場效應(yīng)晶體管（電力MOSFET）（）現(xiàn)象。
A.有二次擊穿
B.無二次擊穿
C.防止二次擊穿
D.無靜電擊穿
單項選擇題
電力場效應(yīng)晶體管（電力MOSFET）適合于在（）條件下工作。
A.直流
B.低頻
C.中頻
D.高頻

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功率晶體管的驅(qū)動電路一般有兩種類型，即恒流驅(qū)動和（）。

你可能感興趣的試題

驅(qū)動電路是電力電子器件主電路與（）電路之間的接口。

對于功率晶體管的基極驅(qū)動電路，驅(qū)動電流的后沿應(yīng)是一個較大的負電流，以利于功率晶體管的（）。

磁隔離的器件通常是（），當(dāng)脈沖較寬時，為避免鐵心飽和，常采用（）和（）的方法。

在驅(qū)動電路中采用的隔離環(huán)節(jié)一般是（）和（）。

電力電子器件的驅(qū)動電路分為（）和（）。

驅(qū)動電路的基本任務(wù)是（）。

IGBT的3個引出電極分別是（）

用萬用表Rx1kΩ測量GTO陽極與陰極間電阻時，若其正、反向電阻都很小，說明兩極之間（）。

電力場效應(yīng)晶體管（電力MOSFET）（）現(xiàn)象。

電力場效應(yīng)晶體管（電力MOSFET）適合于在（）條件下工作。

功率晶體管的驅(qū)動電路一般有兩種類型，即恒流驅(qū)動和（）。

你可能感興趣的試題

驅(qū)動電路是電力電子器件主電路與（）電路之間的接口。

對于功率晶體管的基極驅(qū)動電路，驅(qū)動電流的后沿應(yīng)是一個較大的負電流，以利于功率晶體管的（）。

磁隔離的器件通常是（），當(dāng)脈沖較寬時，為避免鐵心飽和，常采用（）和（）的方法。

在驅(qū)動電路中采用的隔離環(huán)節(jié)一般是（）和（）。

電力電子器件的驅(qū)動電路分為（）和（）。

驅(qū)動電路的基本任務(wù)是（）。

IGBT的3個引出電極分別是（）

用萬用表Rx1kΩ測量GTO陽極與陰極間電阻時，若其正、反向電阻都很小，說明兩極之間（）。

電力場效應(yīng)晶體管（電力MOSFET）（）現(xiàn)象。

電力場效應(yīng)晶體管（電力MOSFET）適合于在（）條件下工作。

功率晶體管的驅(qū)動電路一般有兩種類型，即恒流驅(qū)動和（）。

對于功率晶體管的基極驅(qū)動電路，驅(qū)動電流的后沿應(yīng)是一個較大的負電流，以利于功率晶體管的（）。

磁隔離的器件通常是（），當(dāng)脈沖較寬時，為避免鐵心飽和，常采用（）和（）的方法。

在驅(qū)動電路中采用的隔離環(huán)節(jié)一般是（）和（）。

電力電子器件的驅(qū)動電路分為（）和（）。

驅(qū)動電路的基本任務(wù)是（）。

用萬用表Rx1kΩ測量GTO陽極與陰極間電阻時，若其正、反向電阻都很小，說明兩極之間（）。

電力場效應(yīng)晶體管（電力MOSFET）（）現(xiàn)象。