制造硅半導(dǎo)體器體中，常使硼擴(kuò)散到硅單晶中，若在1600K溫度下，保持硼在硅單晶表面的濃度恒定（恒定源半無(wú)限擴(kuò)散），要求距表面10^-3cm深度處硼的濃度是表面濃度的一半，問(wèn)需要多長(zhǎng)時(shí)間（已知D_1600℃＝8×10^-12cm²/s；當(dāng)）？

已知?dú)浜玩囋诿嫘牧⒎借F中的擴(kuò)散數(shù)據(jù)為cm²/s和cm²/s試計(jì)算1000℃的擴(kuò)散系數(shù)，并對(duì)其差別進(jìn)行解釋

欲使Ca²⁺在CaO中的擴(kuò)散直至CaO的熔點(diǎn)（2600℃）時(shí)都是非本質(zhì)擴(kuò)散，要求三價(jià)離子有什么樣的濃度？試對(duì)你在計(jì)算中所做的各種特性值的估計(jì)作充分說(shuō)明。已知CaO肖特基缺陷形成能為6eV