問答題

【計算題】在某種材料中，某種粒子的晶界擴(kuò)散系數(shù)與體積擴(kuò)散系數(shù)分別為D_gb＝2.00×10^-10exp（－19100/RT）cm²/s和D_v＝1.00×10^-4exp（－38200/RT）cm²/s，試求晶界擴(kuò)散系數(shù)和體積擴(kuò)散系數(shù)分別在什么溫度范圍內(nèi)占優(yōu)勢？

答案：

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【計算題】
制造硅半導(dǎo)體器體中，常使硼擴(kuò)散到硅單晶中，若在1600K溫度下，保持硼在硅單晶表面的濃度恒定（恒定源半無限擴(kuò)散），要求距表面10^-3cm深度處硼的濃度是表面濃度的一半，問需要多長時間（已知D_1600℃＝8×10^-12cm²/s；當(dāng)）？

答案：

【計算題】
已知?dú)浜玩囋诿嫘牧⒎借F中的擴(kuò)散數(shù)據(jù)為cm²/s和cm²/s試計算1000℃的擴(kuò)散系數(shù)，并對其差別進(jìn)行解釋

答案：

原因：與鎳原子相比氫原子小得多，更容易在面心立方的鐵中通過空隙擴(kuò)散