下圖為試件電導(dǎo)率變化引起線圈阻抗變化的軌跡,比較圖中A、B兩點的電導(dǎo)率應(yīng)為()。
A.σA=σB
B.σA<σB
C.σA>σB
D.無關(guān)系
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A.增加
B.減半
C.減小3/4
D.增加3倍
A.缺陷
B.電導(dǎo)率
C.尺寸
D.以上三項都可以
A.檢測頻率降低
B.線圈電感降低
C.線圈電阻降低
D.上述三項都對
最新試題
分辯率可使用通用探傷儀進(jìn)行測量,測試時儀器抑制置“零”或“開”位,必要時可加匹配線圈。
當(dāng)探頭與被檢工件表面耦合狀態(tài)不同時,而又沒有進(jìn)行適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償,會使定量誤差增加,精度下降。
水浸式探頭主要特點是探頭與工件直接接觸,且探頭部分或全部門浸入耦合液中。
經(jīng)變形橫波轉(zhuǎn)換后探頭接收到的回波滯后于單純縱波傳播至底返面的回波,滯后時間與變形橫波橫穿工件厚度的次數(shù)成反比。
對于圓柱體而言,外圓徑向檢測實心圓柱體時,入射點處的回波聲壓實際上由于圓柱面耦合不及平面,因而其回波高于平底面,會使定量誤差增加。
缺陷相對反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。
對于橫波斜探頭而言,不同K值的探頭的靈敏度不同,因此探頭K值偏差也會影響缺陷的定量。
儀器時基線比例一般在試塊上調(diào)節(jié),當(dāng)工件與試塊的聲速不同時,儀器的時基線比例發(fā)生變化,影響缺陷定位精度。
缺陷垂直時,擴(kuò)散波束入射至缺陷時回波較高,而定位時就會誤認(rèn)為缺陷在軸線上,從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。
高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊,使之形成高溫耦合層。