單項選擇題
某場效應(yīng)管的漏極特性曲線如圖所示，則該場效應(yīng)管為（）
A.P溝道耗盡型MOS管
B.N溝道增強(qiáng)型MOS管
C.P溝道增強(qiáng)型MOS管
D.N溝道耗盡型MOS管
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1.單項選擇題
某電路如下圖所示，晶體管集電極接有電阻RC，根據(jù)圖中的數(shù)據(jù)判斷該管處在（）
A.截止?fàn)顟B(tài)
B.放大狀態(tài)
C.飽和狀態(tài)
2.單項選擇題
低頻小功率晶體管的輸入電阻rbe等于（）
A.A
B.B
C.C
3.單項選擇題晶體管的電流放大系數(shù)β是指（）
A.工作在飽和區(qū)時的電流放大系數(shù)
B.工作在放大區(qū)時的電流放大系數(shù)
C.工作在截止區(qū)時的電流放大系數(shù)
4.單項選擇題晶體管處于飽和狀態(tài)時，集電結(jié)和發(fā)射結(jié)的偏置情況為（）
A.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏
B.發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均反偏
C.發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均正偏
D.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏
5.單項選擇題如果改變晶體管基極電壓的極性，使發(fā)射結(jié)由正偏導(dǎo)通改為反偏，則集電極電流（）
A.反向
B.近似等于零
C.不變
D.增大
最新試題
與混頻前的高頻相比中頻信號的（）未發(fā)生變化。
題型：單項選擇題
不加反饋電路的集成運算放大器只能做（）。
題型：單項選擇題
在實際工作中，要想傳輸信號能量，其電壓駐波比應(yīng)該（）。
題型：單項選擇題
當(dāng)混頻器輸入信號的頻率增高一倍時，輸出中頻信號頻率（）。
題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
采用分壓式偏置電路后，（）基本不隨溫度變化。
題型：單項選擇題
與變壓器耦合放大器相比，RC耦合放大器具有（）的特點。
題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
N溝道和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管所加的柵極控制電壓均為（）。
題型：單項選擇題
過壓狀態(tài)的工作特性是（）
題型：單項選擇題