單項(xiàng)選擇題透納二極管(Tunnel Diode)在順向時(shí)為一()
A.良導(dǎo)體
B.絕緣體
C.具負(fù)電阻特性
D.半導(dǎo)體
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1.單項(xiàng)選擇題
如圖所示,若Zener二極管崩潰電壓為10V,且12V≤Vi≤15V,500Ω≤RL≤1000Ω,則Zener二極管所消耗之最大功率為?()
A.0.5W
B.0.4W
C.0.3W
D.0.2W
2.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體的電流如何產(chǎn)生?()
A.僅由電子
B.僅由電洞
C.正、負(fù)離子
D.電子和電洞均有
3.單項(xiàng)選擇題理想的砷化鎵二極管其切入電壓為?()
A.0V
B.0.2V
C.0.6V
D.1.1V
4.單項(xiàng)選擇題稽納電壓在5V時(shí),是屬于何種崩潰效應(yīng)()
A.稽納崩潰
B.累增崩潰
C.以上皆可能
D.以上皆非
5.單項(xiàng)選擇題一個(gè)理想的鍺質(zhì)PN二極管,在溫度為75℃時(shí),其動(dòng)態(tài)電阻rd=3Ω,若在順向電流不變下,溫度提高至133℃時(shí),其rd為何?()
A.3Ω
B.3.5Ω
C.4Ω
D.4.5Ω
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下列關(guān)于與門電路(AND Gate)的描述中,哪一項(xiàng)是正確的?()
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