A.競(jìng)爭(zhēng)—冒險(xiǎn)
B.元件擊穿
C.無(wú)限循環(huán)
D.翻轉(zhuǎn)跳躍
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.β值
B.穿透電流
C.溫度
D.頻率
A.上升沿
B.下降沿
C.CP=1期間
D.CP=0期間
理想運(yùn)放電路如圖所示,當(dāng)ui=10V時(shí),I為()
A.2mA
B.-2mA
C.1mA
D.-1mA
A.增大
B.減小
C.不變
D.無(wú)法判斷
A.共模抑制比無(wú)窮大
B.開環(huán)共模電壓放大倍數(shù)無(wú)窮大
C.線性應(yīng)用時(shí),有“虛短”概念
D.線性應(yīng)用時(shí),有“虛斷”概念
最新試題
判斷載流導(dǎo)體在磁場(chǎng)中受力的方向用()
判斷感應(yīng)電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)方向應(yīng)采用()
導(dǎo)體的長(zhǎng)度和直徑都增大為原來(lái)的2倍,其阻值變?yōu)樵瓉?lái)的()
將毫伏表改裝成一個(gè)大量程的伏特表需()
與線性電感的電感量有關(guān)的因素是()
兩個(gè)電阻R1和R2串聯(lián),若R1∶R2=1∶2,則通過(guò)它們的電流I1∶I2為()
電容電路里,電流瞬時(shí)值滯后于電壓瞬時(shí)值90度電角度。()
74LS00的芯片是一個(gè)14個(gè)引腳的芯片,在這個(gè)芯片的內(nèi)部含有4個(gè)與非門。()
某電容器充電后兩極電壓為10V,所帶電量為9C,則它不帶電時(shí)的電容為()
CP上升沿到來(lái)時(shí),主觸發(fā)器控制門封鎖,在CP=0期間接收的內(nèi)容被存儲(chǔ)起來(lái)。同時(shí),從觸發(fā)器控制門被打開,主觸發(fā)器將其接收的內(nèi)容送入從觸發(fā)器,輸出端狀態(tài)隨之改變。()