電路圖5中，C1、C3和CE的容量足夠大，晶體管的β＝50，rbb’＝200Ω，VBEQ＝0.7V，RS＝2kΩ，RB1＝25kΩ，RB2＝5kΩ，RC＝5kΩ，RL＝5kΩ，RE1＝1.7kΩ，RE2＝300Ω，VCC＝12V。計(jì)算：
（1）電路的靜態(tài)工作點(diǎn)；
（2）電壓放大倍數(shù)AuS、輸入電阻Ri和輸出電阻RO。
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假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
?10進(jìn)制計(jì)數(shù)器模塊在數(shù)字鐘系統(tǒng)中可作為以下哪些模塊的子模塊？（）
?若某放大器的輸入信號(hào)為電壓信號(hào)，輸出信號(hào)為電流信號(hào)，則以下描述正確的有（）。?
?verilogHDL的基本結(jié)構(gòu)中通常需要進(jìn)行模塊范圍的定義，VerilogHDL的模塊范圍的定義的開(kāi)始和結(jié)束方式是（）。
?數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)中的測(cè)頻計(jì)數(shù)模塊共有多少個(gè)狀態(tài)？（）
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過(guò)電容耦合進(jìn)行傳輸（注意圖中未畫(huà)出電容），要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?
?某次電路實(shí)驗(yàn)中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實(shí)驗(yàn)。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，該同學(xué)觀測(cè)到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請(qǐng)問(wèn)此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
?電路如圖所示，如果電容C2開(kāi)路，則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)（），漏極交流電壓將會(huì)（），增益將會(huì)（）。
?CD放大器的性能特征有（）。?
?CS、CG和CD三種組態(tài)中，最適合做電壓放大器的還是CS放大器。