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<table id="gozjs"><legend id="gozjs"><big id="gozjs"></big></legend></table>

<samp id="gozjs"><listing id="gozjs"><var id="gozjs"></var></listing></samp>

多項(xiàng)選擇題

俄歇電子的能量主要與以下哪些因素有關(guān)（）

A.初始空位能級(jí)
B.躍遷電子能級(jí)
C.激發(fā)源能量
D.填充電子能級(jí)

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對(duì)于化學(xué)價(jià)態(tài)相同的原子，俄歇化學(xué)位移的差別主要和原子間的電負(fù)性差有關(guān)。

答案：正確

單項(xiàng)選擇題

產(chǎn)生俄歇電子深度范圍為表層以下（）

A.1000nm左右
B.2nm左右
C.100nm左右
D.20nm左右

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