在如圖所示的電路中,vs為正弦波小信號(hào),其平均值為0,BJT的β=100。 (1)為使發(fā)射極電流IEQ約為1mA,求Re的值; (2)如需建立集電極電位VCQ為+5V,求RC的值; (3)RL=5kΩ,求Avs電路中的Cb1和Cb2的容抗可忽略,取Rs=500Ω。
射極偏置電路如圖所示,已知β=60。 (1)用估算法求Q點(diǎn); (2)求輸入電阻rbe; (3)用小信號(hào)模型分析法求電壓增益Av; (4)電路其他參數(shù)不變,如果要使VCEQ=4V,問上偏流電阻為多大?
電路如圖所示,如Rb=750kΩ,RC=6.8kΩ,采用3DG6型BJT: (1)當(dāng)T=25℃時(shí),β=60,VBE=0.7V,求Q點(diǎn); (2)如β隨溫度的變化為0.5%/℃,而VBE隨溫度的變化為-2mV/℃,當(dāng)溫度升高至75℃時(shí),估算Q點(diǎn)的變化情況; (3)如溫度維持在25℃不變,只是換一個(gè)β=115的管子,Q點(diǎn)如何變化,此時(shí)放大電路的工作狀態(tài)是否正常?