A.熱壓鍵合 B.超聲鍵合 C.熱超聲球鍵合
A.保護芯片以免由環(huán)境和傳遞引起損壞 B.為芯片的信號輸入和輸出提供互連 C.芯片的物理支撐 D.散熱
A.擴散(包括氧化、膜淀積和摻雜工藝) B.光刻 C.刻蝕 D.薄膜 E.離子注入 F.拋光
最新試題
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個?()
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
光刻工藝對準誤差包括()。
鳥嘴效應造成的不良影響有()。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是()。
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標?()